我的系统输入为12V， 我首先使用UCD9248芯片和PTD08A020W模块产生3.3V电（系统有一些电路需要3.3V供电），然后使用PTH03010W模块产生1.5V电压给DDR3的VDD（VDDQ）。3.3V为PTH03010W的输入。DDR3使用戴维南上下拉端接避免了使用VTT。VREF由上下拉100欧姆1%精度电阻提供。我一共使用了8个DDR3芯片（不是条）。我看到TI有专门给DDR3供VDD、VTT、VREF的芯片。如果用在我的这个场合， 我能选到的型号的供电能力最大通常为 VDD 25A, VTT 3A。我担心VTT只有3A,不足以给8个DDR3的VTT供电。因此就使用戴维南上下拉端接取消VTT。但VDD还是要的。专用的DDR3能供VDD的电源芯片外围电路比较复杂，要有场效应管和电感，所以我就选了通用的开关电源模块PTH03010W。这样我对DDR3的供电采用了两级开关电源PTD08A020W和PTH03010W。这个设计是否合理？这个系统里FPGA读写DDR3。
