你好，我有一个6S6P的项目，用松下的高倍率18650BD，其他性能都还好，就是短路测试NG。
mos用的是RU40120，单mos持续工作电流可以达到21A，300us pulse 可以480A，共用了7对mos（充放电各7个）
短路时接的短路负载为0.2Ω，按理说短路电流在100A以内，但ms几乎全部炸了。
想请问是不是由于bq40z80的驱动能力不足，短路保护触发后，mos关闭速度不够快造成的呢？
你好，我有一个6S6P的项目，用松下的高倍率18650BD，其他性能都还好，就是短路测试NG。
mos用的是RU40120，单mos持续工作电流可以达到21A，300us pulse 可以480A，共用了7对mos（充放电各7个）
短路时接的短路负载为0.2Ω，按理说短路电流在100A以内，但ms几乎全部炸了。
想请问是不是由于bq40z80的驱动能力不足，短路保护触发后，mos关闭速度不够快造成的呢？
