量产单板，TPS40322 + csd17301q5a （上/下管同型号），双相，预期满载输出3.3V/30A，但在生产过程中约5%比例出现MOS管击穿（故障板上电1分钟~2小时不等，没有特定时间），出现故障时3.3V轻载仅2~3A。
重新核对参数，发现TPS40322 PWM的死区时间为 20~40ns，并且，L fall H rise的边沿，用示波器测量死区时间21ns，接近下限值。那么，查看芯片及MOS管参数，计算延迟：
Tlfall + Td_off + Tf = 10 + 28 +10.5 = 48.5 ns （下管关闭）
Tdead + Td_on + Tr = 20 + 10.7 +16.2 = 46.9 ns （上管导通）
这是不是意味着，在下管尚未完全关闭时，上管已经导通了 ？这个计算方法正确吗？
如图，这是LDRV（蓝色）和HDRV（黄色）的波形图，这里测量的死区时间是21ns，非常接近规格书标称的下限值（Min 20ns，Typ 35ns，Max 40ns）
或者，TPS40322和CSD17301Q5A可以配合使用吗？会不会存在参数不匹配的情况？
新一批次的单板又出现了同样的烧毁问题。这次我们用示波器对每一块单板的Control FET管的G极进行了检测，发现有一块单板的Q10（下方原理图）G极对GND波形异常，并且电压高达40V（正常15V~16V），更换MOS管后波形恢复正常。另一相的波形正常。奇怪的是，输出电压VOUT是正常的，所以在生产过程中，单纯用万用表测量电压是发现不了这个缺陷的。我的问题是：MOS管的哪项指标出现问题，才会导致G极管脚出现这么高的电压？
