关于UCC21750芯片AIN口用于采集IGBT结温(通过片上温敏二极管)时有些疑问:
1)目前的IGBT片上温敏二极管采样的设计流通电流大多为1mA左右,而21750芯片的电流源大小为200uA无法满足采样要求,当时设计芯片是怎么考虑的?
2) 如果要用于采集,如何改进电路以满足需求?
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关于UCC21750芯片AIN口用于采集IGBT结温(通过片上温敏二极管)时有些疑问:
1)目前的IGBT片上温敏二极管采样的设计流通电流大多为1mA左右,而21750芯片的电流源大小为200uA无法满足采样要求,当时设计芯片是怎么考虑的?
2) 如果要用于采集,如何改进电路以满足需求?
想问一下基于现在市面的IGBT 如Onsemi 800A DSC IGBT的电流值是1mA, 但是UCC21750的采样电流值只有200微安,如果我想用UCC21750采样IGBT,该用什么样的方案或者有什么解决办法呢?还有想问一下为何UCC21750的采样电流值是200微安这个比较小的数值?