我们用2个BQ76930级联做20串铁锂保护板,在做短路测试时发现放电MOS DS之间有瞬间高压,电压120V左右,持续时间7.2uS,概率导致电容C37(标记处)和其它器件损坏(电压是必现,损坏是概率),如下图,请帮忙分析一下高压产生的原因及如何消除,谢谢!(尝试在B+/B-之间加90V TVS管和在B-/P-之间加肖特基二极管无效)
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我们用2个BQ76930级联做20串铁锂保护板,在做短路测试时发现放电MOS DS之间有瞬间高压,电压120V左右,持续时间7.2uS,概率导致电容C37(标记处)和其它器件损坏(电压是必现,损坏是概率),如下图,请帮忙分析一下高压产生的原因及如何消除,谢谢!(尝试在B+/B-之间加90V TVS管和在B-/P-之间加肖特基二极管无效)