通过阅读官方的参考设计原理图:
我发现功率MOSFET用作高边驱动时,bq76940的均衡部分使用的MOSFET器件为 N沟道 MOSFET,当功率MOSFET用作低边驱动时bq76940的均衡部分使用的MOSFET器件为 P沟道 MOSFET.
问:
如果我功率MOSFET用作低边驱动时,均衡部分MOSFET器件是否可以使用N沟道MOSFET?如果不可以,请问为什么?会有那些影响?
如下图:
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通过阅读官方的参考设计原理图:
我发现功率MOSFET用作高边驱动时,bq76940的均衡部分使用的MOSFET器件为 N沟道 MOSFET,当功率MOSFET用作低边驱动时bq76940的均衡部分使用的MOSFET器件为 P沟道 MOSFET.
问:
如果我功率MOSFET用作低边驱动时,均衡部分MOSFET器件是否可以使用N沟道MOSFET?如果不可以,请问为什么?会有那些影响?
如下图:
您好,无论是高侧还是低侧的balance电路MOS可以用N或者P都可以。
Please note that the 0.22 uF input filter capacitors (Cc) settle faster for less voltage error during balancing. Some reference designs have a connection error showing the VC1 capacitor connecting to VC0, that capacitor should connect to VSS as shown in the data sheet.