在使用BQ40Z80的时候,发现当多并一些MOSFET时,短路过程中会出现烧MOSFET的现象,DSG的串联电阻也调试过了,都不行,想问下DSG的驱动能力是多少,支持的最大放电MOSFET的输入电容是多大的,或者怎样可以解决这个问题
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在使用BQ40Z80的时候,发现当多并一些MOSFET时,短路过程中会出现烧MOSFET的现象,DSG的串联电阻也调试过了,都不行,想问下DSG的驱动能力是多少,支持的最大放电MOSFET的输入电容是多大的,或者怎样可以解决这个问题