锂电池内阻的理论计算

我理解你的问题是关于阻抗追踪技术中如何测量和更新内阻的方法。因此基于BQ20ZXX系列芯片的阻抗技术原理回复如下供你参考

内阻的更新发生在放电模式下（一般在开始放电500s以后开始，防止负载突变影响测量结果）。

但是当电池在放电状态时，内阻校准是需要预先知道DOD，因为现在都不知道内阻，那怎么获得DOD的呐?

thanks, best wishs!

你的这个问题可以理解为DOD是如何更新和检测的，同样基于BQ20zxx系列的阻抗追踪技术原理回复如下供你参考：DOD的更新是在芯片进入relaxtion模式30分钟以后基于OCV（开路电压)的检测来实现。

假设我在relaxtion中完成了DOD运算，过一段时间当我进行内阻校准时，此时已经过了一段时间，DOD已经发生了改变。前面你也提到内阻校准是在放电时进行的，每放电11.1%都会进行一次内阻校准，每次校准都会用到DOD，那么此时的DOD你是怎么获得的？是根据在relaxtion中完成DOD更新，然后启用库仑计来计算后面放电时的DOD，在进行内阻校准的？

你的理解是正确的。

在relaxtion 模式下测得的dod通常标记为DOD0， 意味着开始充放电前的初始放电深度。

这里你提到“否则芯片不会进入relaxtion模式，同样也不会进行dod的更新”，若我一直在充放电电池，即一直在使用中，是不是就一直无法进行DOD的更新，也就无法进行内阻更新？

我另外一种理解是在放电到最小3.0V电压时，或者达到4.2V充电完成后也会进行一次DOD更新，然后进行对应的内阻更新，但这种方法的缺点是若电池一直处于未充满或未放完的使用状态，是不是也无法进行内阻更新？

之前的DOD是指DOD0，并不是说充放电过程中的DOD更新需要进入到relaxtion模式。

关于内阻更新时如何得到最新的DOD的问题，DOD=DOD0+Passcharge/Qmax，

小弟最近在研讀IT演算法，上網找尋資料找到這個帖子，不過有些不懂問題還想請教前輩 :

一般在查找R(DOD) table是去Ra table查找嗎? 但是Ra table不是只有幾個值嗎? 這樣能找到最精準的內阻值嗎?

還是我的理解有問題@@.....

感謝抽空回答解惑~~~

可以简单的把Ra table中每一个数据看成是R(DOD，T) 的校正点。每到一个RA更新点，算法会插入最新的Ra，从而整个R(DOD，T)的数据也会做相应的调整。