LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器，该 LMG1210 具有 两种控制输入模式：独立输入模式(IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入独立控制。
在lmg1210技术文档中提到：该驱动芯片的两个输出HI,LI不能同时为高，控制器负责确保LI和HI的on-time不会重叠，从而导致击穿。这里指的是HI与LI受制于半桥拓扑直通的危险而不能同时为高，还是指在独立输入模式下由于芯片本身设置导致两个输出不能同时为高？
本人在初研多电平变换电源时，发现在拓扑上相邻的两个开关管驱动信号并不互补，存在同时导通的情况，想询问在这个方面LMG1210的独立输入模式能否胜任。如果可以同时控制输出导通时间重叠，那么参数表中的t MTCH这一物理量应如何理解？
谢谢
