用LM25066做热插拔线路,由于电流较大,而且为了防倒灌,用了四组背靠背的MOSFET,也就是说LM25066的Pin13 Gate Pin接了8个MOSFET。
现在发现打回来的板子中,已经出现了3片板子发生LM25066坏掉的情况,都是Gate Pin阻抗偏低,换掉IC后,板子OK。三片板子都是在使用过程中发现这个情况,请问这个大概率是什么原因导致LM25066 的Gate Pin损坏?我应该做什么来验证和改善?谢谢!
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用LM25066做热插拔线路,由于电流较大,而且为了防倒灌,用了四组背靠背的MOSFET,也就是说LM25066的Pin13 Gate Pin接了8个MOSFET。
现在发现打回来的板子中,已经出现了3片板子发生LM25066坏掉的情况,都是Gate Pin阻抗偏低,换掉IC后,板子OK。三片板子都是在使用过程中发现这个情况,请问这个大概率是什么原因导致LM25066 的Gate Pin损坏?我应该做什么来验证和改善?谢谢!
目前做了30片板,已经坏了三片,这三片板换了LM25066之后,IC Gate阻抗正常,可以正常开机;坏的三片IC都是Gate阻抗偏低;以前我们做过这样的设计,也是60A电流,用了4个MOS并联,量产过从来没遇过LM25066坏的,这一次由于后端有电池,所以为了防倒灌,在之前的4个MOS前加了4个背靠背MOS设计,所以这一次Gate一共接了8个MOS,不知道LM25066对于驱动8个MOS是否有什么风险(gate电流太大?),也有可能是gete电压冲过20V导致这个pin烧坏?
下面是我们这一组设计的线路,如果您方便的话,麻烦您帮忙check一下,看看是否线路本身设计有风险。
我们使用的设计工具是“LM25066_Design_Calculator_REV_C.xlsx”,这是以前代理商给我们的设计工具。