請教 BQ25731 OTG Boost 狀態 RAC電阻位置

請教 關於BQ25731 的電阻位置

SPEC 建議RAC電阻B 位置 放在主要大電容C & MOS Q1 A 之間 .

但我的應用 , 輸入電流相對小 , 最嚴苛的條件是在OTG 輸出狀態 , 且處於Boost mode .

我們希望在OTG 輸出狀態 可達到最高效率 . 

理論上 boost 輸出電容應該要貼近boost 輸出MOS ,  想請問是否可以將RAC電阻B位置 與 主要大電容C 位置交換? 

還是建議維持SPEC建議位置?

Thanks!!