• 状态
  • 已锁定 已锁定
  • 个回复 1 个回复
  • 名订阅用户 43 名订阅用户
  • 次查看 348 次查看
  • 用户 0 名在线用户
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

TPS65131: Inrush current影响因素验证

Lu Ganzhen
Part Number: TPS65131

Hi，使用TPS65131的一个产品在上电时因为VPOS/VNEG的抽载生成约1A的冲击电流；

      根据其他项目经验，在Boost 电路中有MOS管漏流现象导致冲击电流过大。

现想验证TPS65131中的MOS管是否存在同样的问题导致较大Inrush current，如图红圈部分，请问当前猜想合理吗？在验证方式上是否有相关建议？

谢谢~

/

  • 0
    TI__Guru**** 308311 points

    Hi

        我这边还没有看到"在Boost 电路中有MOS管漏流现象导致冲击电流过大", 一般的inrush,主要是输出电容的充电导致,很多芯片都在启动时有电流限制来降低inrush,或者偏执输出等等方式,但是PS65131应该是没有这些设置的.

        这个芯片只有启动的软起动1mS来限制输入inrush电流.