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您好，
我们在使用TPS562231，想测试下内部MOS的大小，但无法出现高端管和低端管完全打开的方法。
TI是否有这方面的测试方法，
谢谢
Hi
你是指2个MOS同时导通还是？你是要测试Rdson，还是电流？
datasheet侧重于芯片应用，不会有相关测试的测试方法，TI也没有额外出过这样的文档。
单独测试这两个MOS的内阻。如果不能测试，规格书的数据是怎么得出来的，如何去保证一致性
我这边没有测试的方式，因为TI也没有出类似的测试报告（这个和芯片应用无关，而datasheet是以芯片应该和说明为主，所以不会有这样的说明）
但是我想高边MOS的Rdson应该是让反馈偏低导致100duty时测试MOS压差, 以及通电电流来计算得到的。而低边MOS应该是反馈偏高来测试。
一些异步升压是可以这么测，但是这芯片不能占空比100%，所以没办法测
HI 即便不100duty， 只要duty有开启的时候，不接电感，通过串联电阻通电， 在duty on的时候MOS压降。
当然这只是我自己的想法，因为TI也没有出文档来说明这些。
这个我知道，用示波器测误差太大
HI
是的，需要精密仪器测量。这个也牵涉到一些技术，TI没有对外公布。
