TI团队：
我在使用BQ76952测试短路过程中，发现MOS会炸，采样电阻1mΩ，短路配置为电压阈值为100mV， 延时为30us，短路关闭放电MOS，芯片在检测到短路后，会关断DSG MOS， 但是关闭时间5ms，在此过程中MOS被击穿，下图为未通过实验波形和通过实验波形：
未通过波形，MOS击穿，其中，CH1：DSG，CH2：P+，CH3：SNP
未通过波形，MOS击穿同时B-焊盘被打掉，其中，CH1：P+，CH2：BAT（芯片47引脚），CH3：DSG，CH4：SRP
通过波形，MOS未被击穿，板子正常工作，其中，CH1：DSG，CH2：SRP，CH3：P+
通过上图可以看出在DSG下降过程中始终存在4ms的延时，和放电MOS断开时DSG产生的快速关断不太一致，我想问下这是什么原因？
下图是我的原理图设计：
采样电阻已经改成1mΩ，R26、R27未焊接
