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按照如图的原理图设计的电路，输入40v输出只有3v，但是en脚和vcc脚都正常，测量高端mos栅源电阻为1400Ω左右，但是接输入时候栅源电压十分接近都是2.9v左右
HI
输入40V，输出多少？ 负载多少？
目前测试输出偏低，同时VCC正常，但是驱动电压偏低是吗？
驱动电压是高边的chargepump产生的，但是仅仅chargepump电容在芯片外部，而VCC电压又正常，所以你需要确认外部chargepump电容0.1uF以及芯片（chargepump电路）。尽管VCC电压正常，但是VCC电容需要尽量靠近VCC脚。
另外输入的电容可以放大一点，建议10uF以上。关于电路你可以借助在线仿真webench确认下。
输出2.97v，无负载，目前测试vcc是正常的，驱动电压偏低，基本和源极一样，确认过了外部电容是0.1uf，另外输入电容的大小会影响驱动电压吗？芯片（chargepump电路）怎么确认？
输出2.97v，无负载，目前测试vcc是正常的，驱动电压偏低，基本和源极一样，确认过了外部电容是0.1uf，另外输入电容的大小会影响驱动电压吗？芯片（chargepump电路）怎么确认?另外测了syncout也是正常的450khz方波
Hi
VCC都正常，一般要么是chargepump电路异常导致的，要么就是外部MOS问题，如果确认MOS没有问题，有没有确认芯片是否坏掉了（更换芯片确认）？
现在能够正常输出了，但是空载的时候芯片很烫，有大约0.05a的电流，此外负载太大时会出现明显的压降，反馈电压也在逐渐减小
如果40V输入，50mA,芯片功耗就是2W, 所以芯片发烫，这个空载功耗电流是验证偏大的。
建议确认： 功率频率不建议太高（300kHz以内）， 选择的MOS Qg尽量小。
如果这都没有问题的话，可能仍然是芯片问题（芯片内部损坏，导致额外的电流消耗）
ilim具体是怎么起作用的
负载电流超过电流限制，芯片会关掉duty输出，这样防止电流过大导致异常甚至芯片烧掉。
comp的正常波形是什么
恒定的电压，没有测试过，应该4V多的电压。
按照如图的原理图设计的电路，输入40v输出只有3v，但是en脚和vcc脚都正常，测量高端mos栅源电阻为1400Ω左右，但是接输入时候栅源电压十分接近都是2.9v左右
