[FAQ] LM5066I: 如何在热插拔设计中选择功率 MOSFET？

热插拔电路使用功率 MOSFET 作为串联限制器件，控制启动浪涌和故障电流。  相比稳态阶段，在瞬态和故障事件期间，MOSFET 的功耗更大，可能超过 MOSFET 的热限制，因此设计人员必须确保 MOSFET 在其安全工作区 (SOA) 内运行。  有许多良好的资源可帮助设计人员选择合适的 MOSET 来满足所有事件下的功率耗散要求。 

• 应用手册“可靠的热插拔设计”介绍了 MOSFET 选择所涉及的详细设计过程。
• 德州仪器 (TI) 还提供基于 Excel 的详细计算器，用于使用功率限制的热插拔应用，这些计算器遵循应用手册中概述的方法。每个热插拔控制器都有基于 Excel 的独立计算器，可在设计中提供帮助。

LM5066i 的一个示例设计计算器是 LM5066I 设计计算器。  不过，设计人员需要选择 MOSFET 并在设计计算器中输入 SOA 参数，以验证所选的 FET 是否符合设计要求。通常，设计人员必须调整要求或选择一个经过多次设计迭代的功能更强大的 MOSFET。

为了简化该过程，德州仪器 (TI) 发布了用于某些常用控制器的设计计算器，其中包含 FET 建议。下面提供了工具详细信息，以供进一步了解...

包含 FET 建议的 LM5066I 设计计算器

包含 FET 建议的 LM5069 设计计算器

包含 FET 建议的 LM25066 设计计算器

其他资源：

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/how-to-select-a-mosfet-hot-swap 

处理热插拔应用中的系统瞬态