BQ25570: 个别芯片在电池VBAT端会产生1.1mA的漏电

为更加有效地解决您的问题，我需要询问更了解这款芯片的TI资深工程师，再为您解答，一旦得到回复会立即回复给您。

您也可以查看下帖了解进展：
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1071122/bq25570-individual-chips-will-generate-1-1ma-leakage-at-the-vbat-end-of-the-battery 

另外，刚插入电池的时候是没有漏电的，经过阳光照射充电一段时间，阳光消失后，电池会一直有1.1mA的漏电，把电池移除再重新插入，漏电会消失。

以前从未听说过这个问题。请提供发生这种情况时的原理图以及 VIN_DC、BAT 和 VOUT 的电压。这只是一个升压充电器，这意味着 VIN_DC（更具体地说，由 VOC_SAMP 引脚设置的 VMPP 必须低于 VBAT_OV 设置。

我假设 /EN 被拉低并且 VOUT_EN 被拉高？ 当 /EN 被拉至 VBAT 然后又被拉回低电平时，泄漏是否会恢复？ 发生泄漏时转换器是否切换（LBOOST 引脚处的方波）？

该设备不是为热插拔电池而设计的，即当插入电池时，它们的电压在 VIN_DC 或 VSTOR 高于 100mV。