Other Parts Discussed in Thread: BQ25170, BQ25170J
您好,
4.2V锂电池,实际使用充电电阻为20R。
而且 电池电压不同时,各点测试电压也变化,即R20通过的电流为0.2mA,R23通过的电流为0.191mA,请问有降低此部分功耗的方法吗?
谢谢!
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您好,
2个问题:
1. BQ2057C有 20 多年的历史,支持它的资源有限。正如我在帖子中提及,我们无法降低 BQ2057C 的功耗,我问的实际意思是通过选用漏电流小的肖特基,你们推荐电路设用的ZHCS1000TA漏电流太大了,DSS3515M 是NPN ,如果换成PMOS ,漏电流会不会更小些,因为您也看到了电池放电时,这两个芯片均有漏电流。
2.请问有BQ25170JDSGR这个型号吗(规格书中只看到BQ25170CDGKR)?支持4.2V Li-on 电池,10mA充电电流,如果以10mA充电时,BQ25170功耗是不是10mA+0.6mA,电池放电时此芯片的功耗是多少呢(手册中无相关数据支持)
问题2: 请您确认BQ25170CDGKR,没有查到这个尾缀的型号,TI有BQ25170DSGR。
BQ25170J和BQ25170是两款产品。
BQ25170J数据手册: https://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/bq25170j.pdf
BQ25170数据手册:https://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/bq25170.pdf
问题1:
对于 PMOS,栅极和源极之间需要一个电阻器 (R2),这允许 FET 关闭但会增加 iq(CC 只能通过 ic 拉至 GND)。
问题2:
看到了BQ25170DSGR和BQ25170CDGKR,性能有区别吗?
没有查到BQ25170CDGKR这个尾缀的型号,请您确认需要对比哪两个型号的产品?
以10mA充电时,BQ25170J或BQ25170功耗是不是10mA+0.6mA
170J 增加了某些应用可能需要的 JEITA 暖和冷 TS 阈值,170 只有冷热阈值。
电池放电时此芯片的功耗是多少呢(手册中无相关数据支持)
我们在规范的“QUIESCENT CURRENTS”部分提供了所有相关信息。对于 2.5V – 3V 范围内的已放电电池,您可以预期较低的 IQ_out。
170J TS 阈值在数据表 7.3.2.4 中有更详细的解释。另请参阅 EC table--BATTERY-PACK NTC MONITOR。
电池组制造商可能会推荐 JEITA 合规性,或者要求在某些市场上销售产品。
我们提供有关该主题的应用说明,您可以查看:https://www.ti.com/lit/an/slyt365/slyt365.pdf