LM5176: 使用MOSFET_CSD18532Q5B損毀分析

Hi

   请问输入电压多少？

   一共做了多少板子，不良率多少？

電壓: 12V鉛酸電池(車用)

生產數目: 1K

不良率: 約1%

HI

    用良品板子测试一下各种情况：

　是否有电池插入的情况，有的话，测试插入瞬间，输入Ｖｉｎ的波形，以及此时驱动波形？　　前者看是否有电压严重上冲，后者看是否有同臂膀导通的情

况。　然后再测试正常工作情况下，输入以及驱动的波形。

　如果是电池插入后电压才到芯片Ｖｉｎ，同样按照上面的测试看看。

　按照１％这么高的不良率，应该很容易测试到异常，尽管不会烧板子，但是应该有异常的波形出来。

應用條件為Vin常態接在12V電池上, 無拔除及插入問題

使用MCU對EN Pin做驅動, 當要輸出時才會將EN Pin透過MCU GPIO拉至5V

當不須輸出時則將EN拉至0V關閉LM5176

此外, 應用負載為超級電容, 因此啟動時輸出有殘存電壓, 此電壓會造成軟啟動過程有電流逆向的問題

理論上軟啟動時應該Boost側上臂關斷防止逆流, 但實際上有量到逆流

損毀的板子有觀察到LM5176 VCC有損壞(電壓不為7V)

HI

   负载为超级电容，应该选择恒流设计，建议用一些专门的充电芯片BQ系列。

我們LM5176有設定輸出恆流模式(同EVM線路圖)

目前已經持續量產, 因此希望能找到造成此現象的原因

HI

    不良率多少？

不良率: 約1%

HI

   将正常产品的驱动波形，以及VDS波形传给我看一下。

輸入電壓:18V

輸出電壓:16V(開路)

CH1為Buck側的上臂Vgs，CH2為Buck側的下臂Vgs，CH4為Buck側的下臂Vds

Ｈｉ　

　看起来有同臂导通的情况，建议你在确认一下（示波器上确认同臂导通时的电压，是否超过ＭＯＳ　Ｖth

感謝您的回覆

CSD18532Q5B規格書表明Vth標準為1.8V

重新將數據繪圖並增加Vth線段繪圖如下, 看起來並無同時導通的問題

另外, 損毀樣品LM5176的VCC電壓已無7V, 有可能是VCC損毀造成驅動電壓不足讓MOSFET無法進入飽和區造成RdsOn過大造成MOSFET損毀? 如是VCC損毀, 那是甚麼原因會造成此VCC損毀? 

我們此電路不論是線路圖, Layout, BOM基本上都是仿照TI EVM製作, 不應該發生這種問題才對？

請留些時間讓我確認，稍晚回覆信息。

TI官方當初設計此EVM時就有這個問題了嗎?

總而言之, 謝謝您的指導, 會再往同臂導通的方向研究並改善