在反激式开关电源中,网上资料介绍如下:由于开关变压器漏感的存在,当控制开关断开的瞬间会产生反电动势,容易把开关器件过压击穿 。我实测也是一样的,发现跟变压器有关,有的变压器容易使得Vds达到极限值,而有的就不会。请问这个反电动势是如何产生的呢?
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
在反激式开关电源中,网上资料介绍如下:由于开关变压器漏感的存在,当控制开关断开的瞬间会产生反电动势,容易把开关器件过压击穿 。我实测也是一样的,发现跟变压器有关,有的变压器容易使得Vds达到极限值,而有的就不会。请问这个反电动势是如何产生的呢?
Hi
反激电路在MOS关闭时会因为变压器的初级漏感而产生一个较大Spike, 通常会增加Snubber电路吸收来降低MOS的电压应力。
通常建议变压器初级漏感小于变压器初级感量的2%, MOS的VDS电压选择可以选择接近2倍的整流电压(交流输入整流后的电压).
根据法拉第电磁感应定律,V=L(di/dt).
在开关器件关断时,电流会从一个值在非常短的时间内变到接近为零,因此di/dt比较大。再乘上漏感值,就是感应出来的电压值。
Hi
负载比较大的时候电流的变化率Di/Dt 比较大,在漏感一定的情况下,尖峰电压也就越高。
你指得电流变化率是变压器初级的吗,负载比较大的时候是导致变压器次级(负载)的电流变化率大,跟初级有什么关系呢?另外除了跟负载大小有关外还会跟其他方面有关吗,比如负载电压纹波,电流纹波等。
Hi
RCD的Snubber电路是在初级,我指的电流变化率Di/Dt指的也是初级的电流变化率,负载越大(初级电流也会越大)意味着初级的线圈在duty off时电流瞬间关断时电流变化率也越大。