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Hi
MOS最常见的不良模式是击穿，可以直接用阻抗测试或者二极管档测试都是可以的。
对N管，万用表用二极管档测量mos管S极到D极的电压降是一个二极管压降就没坏。P管是测D极到S极。
一般就是测试一下GS、GD之间是否是高阻，以及DS的体二极管。
请问
GS、GD之间高阻意思是MΩ级的？ 那么电阻到了几十千欧 是什么情况？
可以加电看下没有没大电流通过，如果有，可能是局部击穿，请注意要在没有通电的时候测试GS,GD电阻。
测反向体二极管就用测二极管的方式测
测正向可以先用万用表笔正负端点D、S端，正常应为高阻，再将正负端点在G、S端，过一会儿之后用表笔测D、S端，变低阻则为正常
一般用电阻挡测试GS, DS, GD直接的阻抗，通常为高阻， 然后用二极管挡测试SD， 电压一般小于1V, 反过来测，则为高阻， 当然，通常电路当中，会有局部击穿，用万用表比较难测出值， 这时可以适当通电压，看是否有短路现象；
