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BQ76952: 两颗BQ76952级联,MOS放在PACK-,使用DDSG和DCHG控制,但是闭合MOS管会概率失败。

Part Number: BQ76952
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-010208

将两颗BQ76952级联,MOS管放在PACK-,使用TI官网推荐的电路:https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/how-to-stack-battery-monitors-for-high-cell-count-industrial-applications

当负载的等效电容比较大时,使用上位机闭合放电MOS管时(ALL_FETS_ON指令),低端的AFE会出现异常,测到其DDSG引脚电压不稳定,AFE的REG1和REG2的电压也不稳定,并且AFE和上位机连接都会断断续续;此时如果将负载移除,闭合MOS就能成功。

还是当负载的等效电容比较大时,如果先闭合预放MOS管,再用上位机闭合主放电MOS管,依旧有一定概率出现上述的问题,但是出现问题的概率减小了。

而当负载是纯电阻时,闭合放电MOS就没有问题,一切正常。

一开始怀疑是触发了SCD或者OCD,关闭SCD和OCD后,问题依旧存在。

后来又怀疑是SRN和SRP引脚引入了干扰,在AFE引脚端将SRP和SRN引脚短路,问题依旧存在。

还有可能是什么原因呢?求救!

  • 我好像找到原因了:AFE的GND我用了采样端的地,如果改成B-就好了。

    但是采样端的地和B-不都是电芯的GND吗?它们理论上是等电位的,为什么一定要接B-作为AFE的GND?

  • 您好我们已收到您的问题并升级到英文论坛寻求帮助,如有答复将尽快回复您。谢谢!

  • 您好,

    没太理解您说的整个过程。

    是有两个独立的微控制器吗(一个用于上位机,一个用于下位机)? 还是说是根据建议使用了隔离器?

    B-应连接到下部 AFE 的 GND。 

  • 使用了隔离器,用一个MCU控制两个AFE。

    如下图所示,我一开始使用B0作为AFE的GND,但是开管瞬间串联在下端的AFE会出现异常。

    当我把图中的R651拿掉,再用采样电阻端的B-作为AFE的GND,开管就没问题(如第二张图所示)。

    但是采样的B0和B-不都是从电芯的负极引出的吗?为什么B0作为GND会出问题?

  • 您好,

    如果这两个引脚都连接到电池的同一负极端,那么一定会出现与layout相关的问题,从而导致 IR 压降。TIDA-010208是一款很好的参考设计-您先对比下并检查此layout,看下您的layout与TIDA-010208的是否有很大的差异。