从原理图上可以看到，上管的故障信号通过数字隔离器输出。一路接到与门，另外一路接到下管的数字隔离器。输出到FET的栅极控制下管RDRV引脚的外接电阻器大小来控制下管的压摆率。
问题1：为什么只有下管的压摆率是通过上管故障信号控制，上管为什么没有通过下管故障信号控制压摆率的设计？
问题2：当GaN出现故障信号时，改变另外一个GaN压摆率的目的是什么？
感谢您的回答
从原理图上可以看到，上管的故障信号通过数字隔离器输出。一路接到与门，另外一路接到下管的数字隔离器。输出到FET的栅极控制下管RDRV引脚的外接电阻器大小来控制下管的压摆率。
问题1：为什么只有下管的压摆率是通过上管故障信号控制，上管为什么没有通过下管故障信号控制压摆率的设计？
问题2：当GaN出现故障信号时，改变另外一个GaN压摆率的目的是什么？
感谢您的回答
截取自原理图中LMG341xR050集成氮化镓的datasheet，该引脚可以通过改变外接电阻器的大小来改变压摆率。
请问原问题的第二个问题该如何理解？
