使用LM25088MH-1/NOPB作为24V转5V降压，按照手册推荐原理图和layout制板，测试中发现，当输出5V@5A时，MOS管发热高达114℃。
MOS管型号为FQD20N06TM，与 evaluation board中的MOS管型号SI7848DP参数接近。
示波器测Vgd的开关波形，频率250Khz，波形上升时间约50nS，没有明显的米勒效应，但是发热确实很严重。更换RT电阻将开关频率将为125Khz时，Vgd开关波形中出现振铃，发热问题也没有缓解。
请问这正常吗，官方 evaluation board是否在接近满负载下进行过温升测试。
或者提供一些解决思路，感谢！
