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在我们的系统中,使用Xilinx 7系列FPGA+DDR3,其中VTT使用TI的TPS51200产生,采用手册在推荐的电路,只是输出端VO(即VTT)的三只10uF电容使用的是胆电容,EN端直接接3.3V(与VIN相同),现在的怪现象是:虽然在DDR3芯片端VTT加了不少10nF、100nF的滤波电容,但如果在DDR3芯片端VTT只加1只100uF滤波电容,加电FPGA加载程序初始化DDR3时,VTT上出现230 mV(峰-峰值)的噪声,而且TPS51200开始发烫,电流异常(增大)!一开始FPGA读写DDR3还正常,大概过几分钟后,FPGA读写DDR3失败!系统无法正常工作。
如果在DDR3芯片端VTT再增加1~2只100uF滤波电容,VTT上的噪声就只有20 mV(峰-峰值)左右,系统工作正常,TPS51200温度也正常。
我们在三个项目中都遇到了这个现象,查阅了所有资料,包括Xilinx开发板DDR3相关电路原理图,都没有提到要在DDR3芯片端给VTT加几百uF的滤波电容,找不到任何理论依据。
请TI专家、各路高手给与指点,谢谢!
HI
和输出电容ESR有关,如果是100uF,可以再加10uF陶瓷电容降低ESR看看。
不过更建议严格参照datasheet采用三个10uF陶瓷电容并联。