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同步MOS，Q5、Q6的关断尖峰在满载的时候，超过了管子的耐压。
请问应该调整RCD中的哪部分才能增强吸收能力？（D4、D6、R6、C1、R8、R9）
请问D4与D6的Ic又如何选择？
HI 这个芯片的Snubber电路计算，TI也没有提供计算方式，而我有snubber计算文档，都不符合这个芯片的计算。
或者你可以在美国E2E上问一下，看他们能够提供这个芯片snubber电路的计算文档：https://e2e.ti.com/
