输入电压58V,输出电压54V,过流3A,为磷酸铁锂电池的充电电源,选的MOS管是评估板里提到的BSC110N06NS3G,VDSS为60V。偶尔有插上电源后MOS管损坏。
MOS管没有过热烧毁的痕迹,多数损坏的现象都是在没有VGS的情况下MOS管D与S之间导通了。
各位觉得是什么原因导致MOSFET损毁呢?
进一步,降压型DC-DC选择MOS管的时候要考虑哪些极限参数呢?
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输入电压58V,输出电压54V,过流3A,为磷酸铁锂电池的充电电源,选的MOS管是评估板里提到的BSC110N06NS3G,VDSS为60V。偶尔有插上电源后MOS管损坏。
MOS管没有过热烧毁的痕迹,多数损坏的现象都是在没有VGS的情况下MOS管D与S之间导通了。
各位觉得是什么原因导致MOSFET损毁呢?
进一步,降压型DC-DC选择MOS管的时候要考虑哪些极限参数呢?
耐压裕量不够,58V输入应该选择80V以上的管子,最好100V。要不然噪声肯定超过60V,造成损害。电流选择7A就够了。
Hi
检查前一级电源或者说输出是否有过冲的现象,以及58V输入走线的寄生电感与输入电容之间LC震荡(走线需要较宽规则,避免寄生电感的产生)。
有的时候还要注意一下纹波的控制。