TI的工程师朋友您好，最近在做移相全桥DCDC零电压变换器，其中MOSFET的驱动用的是UCC27714,栅极驱动电阻大概是12~18欧（因为布线比较糟糕所以只能设置到这么大）
在MOSFET关断时，第一阶段是GS电压由过驱动（12V）电压降低为米勒平台电压（约6V），此过程为驱动芯片给MOS的CISS寄生电容放电，我想估算该过程持续的时间，这段时间对于我设置死区时间实现ZVS很重要
我采用的方法是：驱动电压12V，驱动电阻15欧（外挂栅极驱动电阻12欧姆PlusUCC27714内部电阻1.45欧）,则驱动电流为0.8A
总的时间为CISS*（12V-6V）/0.8A，MOS的CISS为2660pF，理论计算得到的为20ns
具体实验时，图中红色箭头部分为上述计算时间，实验测试得到的值约为180ns,与我的计算不符，相差很大，是否是UCC27717关断MOS时候的驱动电流估计偏差过大？我应该如何估算此段时间，是否有相关的技术文档推荐？UCC27714的驱动电流应该如何估计（DATESHEET中只有峰值驱动电流的估计方法）
