RT,测试结果始终是一个电压跟随状态,交流输入可变换成直流,电流值为交流输入的峰峰值,直流输入时则略小于输入(5V输入则输出4.6V左右)。外围器件参数有所改动,电解电容改为330uF,Rcl为510欧,R2为2K欧,L=100uH,电位器为1M欧
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RT,测试结果始终是一个电压跟随状态,交流输入可变换成直流,电流值为交流输入的峰峰值,直流输入时则略小于输入(5V输入则输出4.6V左右)。外围器件参数有所改动,电解电容改为330uF,Rcl为510欧,R2为2K欧,L=100uH,电位器为1M欧
目的是吧5V升压到30V,原理图已附上。
另:我在网上搜索到一种设计,里面的元器件参数部分就是采用上面的
这是链接:http://www.elecfans.com/dianlutu/dianyuandianlu/20091210128845.html
这是用AD画的原理图