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请问下BQ27541升级后内阻更新公式是否还是采用Ra(DOD)=R(DOD)/exp(Rb(DOD*T)实时计算的？
看到说明文档中提到升级后提高了低温性能，能否大概介绍一下？万分感谢！
你所说的升级是指541升级到541-v200还是V200升级到G1？
这些都是算法细节的东西，如果从使用者角度来说，只需要实际测试看高低温是否满足要求。可否了解下楼主想知道这方面的原因？
我们公司之前一直使用的都是27541的芯片用做单节锂电池保护的，现在想升级到541-v200，
经测试Demo板后发现，FLASH参数表中的内阻参数比之前的小很多，不知道升级后有多大影响？
你好，TI部分电量计的Ra内阻表存在一个比例缩放，只要保证测试过程中校准，CHEM-ID，golden learning过程是正确即可。另外可以实际做一个循环看精度是否有异常，谢谢！
