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手册里面给了参考公式：
我把Ka设置为了零，但是我R_AB=18K时，这个延迟时间却只有130ns，跟公式的理论值600ns差好多。
手册里面的参考13K时也是只有250ns，跟理论值438ns也有差距。
这样的话，我在设计时是不是也就没有什么参考公式可言了？还是说我的片子有问题呢？
请问你的测量是在UCC28950芯片输出PWM脚测的还是在mosfet的gate端测量的？
因为从芯片输出到mosfet gate脚有延时，驱动芯片的上升沿延时和下降沿延时也不一样
建议你从芯片引脚测量
是在引脚直接测量的。就是跟计算的不一样。在MOSFET的门极上测量已经出现交叉。所以上次实验时烧了一个模块。
别人以前有反应过这样的问题么？你们用户手册上面的图和公式也是矛盾的，也没看到手册上说的是在门极上采的信号。
你这个问题比较好，我前段时间用另外一颗料，对手册中的我感兴趣的、觉得重要的公式进行了逐个验算和测量（过程纠结了点）不过最后发现和手册上的基本都对得上。
share一下个人经验，手册出错的还是很少的（一般是他们算过或者测过才写上去的）。个人建议一者可以检查一下芯片的工作环境和这个公式是否一致，二者考虑一下是否可以实现芯片引脚+外部电路的延时，实现最终的不出现交叉。
之后有机会我可能会测试这颗料，到时候看看是否存在你说的这个问题。如果确实存在，会告诉产品线这个地方可能需要更新一下。
我在试验的过程中也发现了死区时间计算公式存在问题，我也是在28950的pin脚测量的，27k的死区电阻，计算值为905ns，实际值640ns
