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如题，UC3854没有加散热，电流采样电阻温度70~80度或更高，mos管耐压600V，反向二极管耐压450V，只给uc3854供电时，输出占空比很大
问mos管突然短路烧毁（保险丝一同烧毁）的可能原因
首先，二极管的耐压用450V会有问题，要考虑二极管反向恢复引起的电压尖峰，建议600V左右的快恢复
另外，注意一下采样电阻的功率降额是否满足规格
方便的话，楼主最好也可以贴下设计图和波形
0.05欧姆的采样电阻是否有些小，原理图在附件中
阻值是与电源功率有关，需要注意的是电阻的功率是否满足
datasheet上的demo采样电阻两端电压典型值为0.25*6=1.5V，我设计的为0.05*10=0.5V，会对芯片工作情况有影响吗？
还有我用的是两个贴片4W的电阻并联，设计功率10*10*0.05=5W<8W，应该满足，可是电阻在电流3、4A时发热脚很严重，70度以上
理论上规格是这样，但是你目前的应用情况是MOS占空比很大，接近短路，所以你可以测试一下实际电流的波形
SLoan Kong 说： datasheet上的demo采样电阻两端电压典型值为0.25*6=1.5V，我设计的为0.05*10=0.5V，会对芯片工作情况有影响吗？ 还有我用的是两个贴片4W的电阻并联，设计功率10*10*0.05=5W<8W，应该满足，可是电阻在电流3、4A时发热脚很严重，70度以上
另外，原理图功率部分的几个问题
1.输入端的电容C50太大，严重影响PF和THD指标
2.L2左端跟输出之间跨一个旁路二极管
3.输出功率多大？要求保持时间多少？输出电容选的太大了，起机冲击电流很大，响应也会很慢
4.D61换成600V的快恢复，450V的管子板子做的好的话也会有降额的问题，更何况二极管还没加吸收电路
建议先看一下这个芯片的应用案例，熟悉PFC的设计过程
C50一直在用0.1uF电容，原理图上没有改，发热问题解决了，只是用功率分析仪测效率只到90%，目前无功功率加到1600W，可是理论上能达到99%，
问题除了你指出的4点外，还有其他因素影响芯片的矫正效率吗？
你说的校正效率是指的PF值吧？你测的90%是PF值而不是电源的效率吧。
是PF值，功率分析仪测得视在功率1600W左右，有效功率1400W左右
还有就是控制部分，你可以测试输入电流的波形看看跟踪的效果
主要是电压环和电流环的设计，对于100K开关频率下，电压通常环做10Hz左右，电流环做到几KHz，有条件可以测试一下看看
Kevin Chen1 说： 还有就是控制部分，你可以测试输入电流的波形看看跟踪的效果
你设计的额定功率多大？再补充一个因素，Layout也比较重要，特别对于采样信号，电压和电流的采样要求精度较高，尽量避免采样信号被干扰
"对于100K开关频率下，电压通常环做10Hz左右，电流环做到几KHz"
这句话是什么意思？怎么设计可以控制电压电流环的频率？
下午实验时UC3854又失控一次，烧毁mos管和保险丝。
正遇到2854输出信号在某个赞空比和最大赞空比跳闪的问题，怀疑是布线的问题，请问应该怎样给采样信号布线才会干扰小？数字地和哪个元件的功率地共地比较好？采样线与功率线共线还是用细线？谢谢
