使用LM5069 做电源管理设计时,出现带大负载,外置MOS无法打开的情况。
分析是 LM5069 GATE驱动输出电流典型值110mA,会导致带载重负载的时,外置MOS无法快速打开,导致MOS的损耗超过PWR设定值,LM5069启动保护,将外置MOS关闭。
不知道以上分析是否正确,或者可以提供解决办法,谢谢。
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使用LM5069 做电源管理设计时,出现带大负载,外置MOS无法打开的情况。
分析是 LM5069 GATE驱动输出电流典型值110mA,会导致带载重负载的时,外置MOS无法快速打开,导致MOS的损耗超过PWR设定值,LM5069启动保护,将外置MOS关闭。
不知道以上分析是否正确,或者可以提供解决办法,谢谢。
Hi
你可以通过负载机测试,从较小负载看是确认,如果在较小负载下启动正常,如你所说确实应该是芯片保护了。
较小负载启动是正常的,把5069的PWR脚阻值调大,放开功率限制,外置MOS直接被击穿,分析是MOS开启速度慢,可能跑到米勒平台那段了,热击穿了。
HI
如果确认启动会电流保护,建议换更大电流的MOS, 或者2个MOS 并联看看。