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LM5050-1: LM5050

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Prodigy 50 points
Part Number: LM5050-1


您好，我想实测一下LM5050-1芯片实际的reverse 情况下的迟滞是多少？我的实验建立方法是这样的：VIN=12V，VS=VOUT从11.7V逐渐升高至11.997V，这时候发现示波器上的GATE电压已经等于VIN的12V，可以认为的是芯片已经将外部MOS关闭了，但是这个时候并没有发生reverse呀，因为Reverse VSD threshold在手册中写道的是要达到VSD=-30mV。另外手册中所说的Reverse VSD Hysteresis=10mV这个参数的意义和作用是什么呢？具体应该如何测量到这个参数的值呢？期待您的回复，谢谢。

  • +1
    TI__Guru**** 308311 points

    Hi

        反向，是需要逐步调高输出电压，使得Vout-Vin 大于41mV才能实现（典型值是28mV)

        波形你可以对照datasheet 第7页图1，  或者你可以见第12、13页7.3.1 IN, GATE, and OUT Pins.

        迟滞10mV，应该是将输出调低MOS导通需要的电压时的迟滞。

  • 0 回复 Johnsin Tao
    Prodigy 50 points

    感谢你的回复，但是实际的情况是这样的：当输出电压根本无需超过输入电压-28mV，或者这么说，只要输出电压比输入高几mV甚至一样大时，只要维持不住30mV的regulation，Gate电压就会被拉到和IN相等的电压，已经关闭了外部MOS。所以通过监测GATE电压什么时候等于IN电压是无法判断是不是reverse current的阈值点电压。而迟滞电压10mV我的理解也不是去重新开通MOS的条件，因为这样会一直允许有最大有-20mV/Rds大小的反向电流了岂不是？

  • 0 回复 ? ?
    TI__Guru**** 308311 points

    HI

       参照datasheet第7页图1, 将波形传上来看看？