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如下图所示，如何测量反向关断时候不同的延时呢？直接在外部NMOS的G和S之间并联10nF和47nF的MLCC电容吗？如果是的话？那0nF的条件又该如何测量呢？另外，MOSFET本身就会有一定的Ciss呀，怎么能做到的0nF呢？期待您的回答。
Hi
Cgate应该是通过MOS Qg计算出来的。
我理解这里提及Cgate=0, 意味着即便Cgate=0 仍然存在tgate， 而不会是直接tgate=0， 或者即便Cgate=0， 驱动电压也有一定上升时间。
