您好!
我现在使用TPS40210升压产生40V0.15A,输入12V,无法升压到预定的40V电压,测量Vbp=8.2V,振荡信号和MOS管栅极驱动信号,VDS关断信号都有,就是电压没升上去,请给予解答!
谢谢!
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我现在使用TPS40210升压产生40V0.15A,输入12V,无法升压到预定的40V电压,测量Vbp=8.2V,振荡信号和MOS管栅极驱动信号,VDS关断信号都有,就是电压没升上去,请给予解答!
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以下是TI仿真软件得到的电路设计图:
和您的电路设计差不多, 主要的差异在于SS脚的电容和电流sense电阻,所以您需要确认是否会因为SS电容太小而造成较大的启动inrush导致OCP保护,可以测试以下启动瞬间Isns电阻上的最高电压,以及ss脚的电压(要能大于0.7V)
另外layout也很重要,可以参考datasheet或者EVM guide.
不能正常输出70V的时候电路有没有起机,多大负载(CC还是CR)?若有起机,在不正常输出的时候有没有输入输出的对应数据,驱动波形,电感电流(开关频率级)的波形?提供电感的规格书和mosfet的厂家型号看看。
建议确认您用示波器测试一下输入电压的波形和sense电阻的波形,原因是你升的电压太高70V, 而输入电压太低7V, 会造成相对较大的输入电流, 在输入电压上可能引起较大的波动,是的流入的电流进一步增大而造成电流保护。
建议修改如下:
1. 您的输入的电容太小,只采用两个1uF的电容,建议改成两个10uF的电容。电容太小容易引起输入电压严重下拉。
2.Rg的电阻15.8欧姆建议改成3.3~5.1欧姆的电阻。 可加快MOS启动,减小功耗。
3. Rsense电阻建议由150欧姆改到95欧姆左右, 上调过电流保护点。
可以参考datasheet第三十二页的效率曲线
用TPS40210,输入电压为9.0-12.6V,产生输出为15V2.5A,电路图与效率参考见附件,满载效率都是可以达到95%左右的。
见datasheet: www.ti.com.cn/.../tps40210.pdf 第是十七页 公式13对软启动电容的计算。只要电容确定下来,就可以算出软启动时间。
1.主要是软启动的最大时间能设置到多少?应该有个时间范围吧?datasheet好像没提到?
2.这个参数怎么理解呢?.
3.如下的datasheet中软启动示意图怎么理解呢?

关于您的问题:
1. 软启动设置时间最大确实没有定义,不过您可以参考TI提供的很多的EVM板设计。
2. 见datasheet第十一页方框图, 电流侦测Isen有做一个过电流保护,150mV即过电流保护点。
3. 软启动描述见第十七十八页:重点在于The output voltage starts from the input voltage less the
drop across the diode (VIN - VD) and rises from there. TPS40210是升压控制,输出电压并不是从输入电压开始逐步上升,因为二极管的存在,是的启动之初,输出电压是从Vin-Vf(二极管), 到输出电压升到Vin, 才是真正意义上的软启动时间。