如要搭配下方Gate Driver, Rg(R50, R52), Rgs(R1, R319), Cboot(C27), Rnode(R51)該怎麼設計以降低MOSFET溫度?
理論上這顆MOSFET的RdsOn已經夠小, 但我們實際操作在下方架構8A就有過溫問題, 之前用其他的Buck Converter IC搭配這顆MOSFET可以到達20A(該Converter操作頻率約200KHz)
- 已有使用直流確認該MOSFET的8A導通溫度是正常(40度以下), 因此已排除是RdsOn過高和包裝熱阻過大的問題
- 目前傾向往切換損失的方向驗證, 是否是該Driver推動電流或是斜率不匹配造成, 是否有建議修改的方向? Rg(R50, R52), Rgs(R1, R319), Cboot(C27), Rnode(R51)?
- 請問TI是否有推薦能推動csd17573q5b的Half bridge Driver IC以及建議線路供我們參考?
Driver IC: Infineon-2ED2101S06F
Driver Voltage: 12V
Driver Input: 80KHz PWM (Gen by MCU)
Driver Output: Half Bridge, 2 MOSFETs (TI csd17573q5b)
Power Input Voltage: 20V
Power Ouput Voltage: 12.8V
Schematic: below (Buck Converter, Current flows from right to left)
