使用LM25148RGYR芯片,设计了一款VIN:17~26.4V,Vout:12V 10A的电源,但是调试中发现,输出电流只要达到10A时,输出电源就NA28-1210A.pdf会减低到10V左右。调整开光频率及电感值都是一样的问题。
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使用LM25148RGYR芯片,设计了一款VIN:17~26.4V,Vout:12V 10A的电源,但是调试中发现,输出电流只要达到10A时,输出电源就NA28-1210A.pdf会减低到10V左右。调整开光频率及电感值都是一样的问题。
HI
首先确认功率电感饱和电流足够大。
其次确认sense电阻到芯片ISNS走线避免noise.
最后,功率回路尽量小。
您好!
感谢回复,上述问题已解决,原因是检测电阻阻值过大,现在改成3mΩ就可以了。
但是现在又有新的问题:
1. 在调整输入电压或调整输出电流时(不断电的情况下),会烧芯片,做了3块基板(烧了5颗芯片了),都出现了相同的问题,输入电压调整到26V以上时,极易出现此现象,损坏的芯片都是VCC与GND短路。断电后再操作,就没有问题。
2. 现在MOS管选用的是40V耐压的,但实测发现MOS管的Vds峰值电压超过40V了,有很高的尖峰脉冲。是否要换成60V的MOS管?
附上相关的电压波形及原理图,麻烦帮忙确认下原理图设计上是否有什么问题,谢谢!
HI
从你描述看电路稳定性并不好,MOS的VDS应该在26V左右,不应该有十多伏的过冲。
建议你严格参考datasheet layout(datasheet 第49~51页, 不稳定很可能是layou造成的)。
Hi
电路参考datasheet 第33页, 主要就是输出电压设置,和补偿电路,按照第33页后的计算步骤确认一下即可。电感主要注意饱和电流足够,其次就是layout。
从你描述看,并非MOS耐压问题,而是电路不稳定的稳定,所以建议你严格参考datasheet layout。