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工程师你好。
1.请问关于TPS40210，GDRV引脚的驱动电平是多少？
2.对于这一类外接MOS的驱动器来说，是不是可以理解成：只要MOS电流可以承受，那么整个BOOST电路的输出电流就可以无限增大？
3.针对此类驱动器，外置NMOS一般该如何选型？参考驱动器的哪些参数呢？
感谢
HI
1. 驱动电压来源于Vbp，VDD高于8V（以上）时， Vbp电压输出8V左右(略低），即驱动输出电压。如果VDD较低（低于8V)， Vb作为LDO输出也会相应偏低。
2. TPS40210输出能力并不强或者说驱动能力不强，一般电流不建议太大（不建议超过4A)
3. N-MOS选择Qg, Rdson尽量小的即可。
感谢回复，有如下问题：
1.如您所说，驱动电压来源于V BP，通过规格书，发现该电压范围为7至9V。您说的驱动能力低，是否是因为它给MOS的GS之间最高只能提供9V，导致MOS管的通流能力受限？
2.有没有驱动能力较高的BOOST驱动器推荐呢？
感谢。
1. 驱动电流比较小， 并非驱动电压。
2. 你可以借助webench在线仿真选型，例如TPS43060, LM5122之类，相对功率可以做得比较大。
通常我理解mos管都是电压控制的，顶多就是G极通过电流给GS之间的寄生电容充电，以达到MOS的门限开启电压。电流越大，GS之间的充电速度就越快，但是驱动电流并不能决定MOS的通流能力。所以关于您说的驱动电流小，会导致MOS的DS之间的电流小，这句话就不太理解，能否展开讲一下？感谢。
是电压控制，但是还是有电流充放电的过程。
你好，
能否理解为：
当控制器开关MOS频率一定时，MOS的驱动电流越大，GS之间电容的充电时间则越快，就越能在固定的时间T内，将GS之间电压抬得越高，所以对应MOS的DS电流就越大。相反，MOS的驱动电流越小，GS之间电容的充电时间则越慢，则在固定的时间T内，就不会将GS之间电压抬得很高，所以对应MOS的DS电流就越小。
不知这样理解是否正确呢？
Hi
频率越高，芯片消耗越大。
你需要理解MOS是电压驱动型，芯片驱动电流将MOS G充电到驱动电压。
