根据参考设计进行原理绘制，高低侧MOS管选择DTQ618N10（Qg:19nC,RDS:12mΩ）,抓取HO和LO波形，发现LO波形控制MOS关管时存在震荡，不清楚这震荡是否与米勒平台有关系，震荡幅度达到2.33V，MOS的Vgs：1V （min），担心这震荡电压会导致上下管同时导通，存在风险，通过在LO对地并联4.7K电阻能够将震荡电压减小至1.7V，但还是无法消除，请教该风险有多大，有什么较好的策略可以优化吗？目前输出12V正常。
根据参考设计进行原理绘制，高低侧MOS管选择DTQ618N10（Qg:19nC,RDS:12mΩ）,抓取HO和LO波形，发现LO波形控制MOS关管时存在震荡，不清楚这震荡是否与米勒平台有关系，震荡幅度达到2.33V，MOS的Vgs：1V （min），担心这震荡电压会导致上下管同时导通，存在风险，通过在LO对地并联4.7K电阻能够将震荡电压减小至1.7V，但还是无法消除，请教该风险有多大，有什么较好的策略可以优化吗？目前输出12V正常。
您好，VCC与GND较为干净，测量纹波电压在40mV左右，之前设置的开关频率为400K，将开关频率下降到200K时，这个震荡峰值有明显改善，但整体功耗增加了1W，想请教，在不增加功耗的前提下还有什么策略能够优化该震荡呢？
修改为200K后的震荡波形如下所示：
测试修改开关频率为1M震荡波形如下所示：
