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BQ24295: BQ24295充电芯片,与电池连接后,有2.2mA的漏电,怎么解决?

Part Number: BQ24295

BQ24295充电芯片,与电池连接后,有2.2mA的漏电,怎么解决。电路原理图下图,图中J20位置连接电池,在没有充电的情况下(即J21管脚没有连接外部5V电源),系统也关闭了,即BAT+位置没有连接负载,设计测试时,把负载都那掉了,就是下图单一的电路。I2C上没有做任何配置。用万用表串联在电池正极与J20-PIN1脚上(即下图BAT+)上,发现电池有2.2mA的电流。按照数据手册,不充电情况下,应该是uA级的电流。这个有没有哪位用过这个芯片,大家是怎么解决的。如果是mA级别,这个漏电太大了,电池在关机情况下就消耗太多了。

  • 您好,正在询问更了解这款芯片的TI工程师,稍后回复。

  • 您好, 漏电流不应该这么高。参考 BQ24295 数据表第 7 页,当仅将电池连接到 BQ24295 IC 时,BAT 引脚的静态电流最大应为 55 uA。

    您使用的方法是否可以精确测量 uA 范围内的低电流?将万用表串联到电池路径的电线也可能增加寄生电阻。建议用检测电阻或源表稳定地测量电流。

    建议仔细检查,以确认没有在 BAT 或 SYS 处连接额外的负载。为了正确测量 IC 的泄漏,必须将其与系统的其余部分完全隔离

  • 如果把上图中R72拿掉,焊接上R73(10K),即OTG 不使能,电流会降低到35uA。PMID电源接近电池电压(大约3.9V),REGN电压接近0

    如果回复回去,即焊接上R72(10K),去掉R73,会回到2.2mA,PMID电压5V,REGN电压5V

    怎么样再算计入HIGH-Z模式,您说的"BAT 引脚的静态电流最大应为 55 uA" 是在HIGH-Z模式下的电流。

    按照数据手册17页,在HIGH-Z模式下,REGN应该是关闭的。OTG脚拉高,应该在boost模式下,没有连接Vbus(上图J21是悬空的),Vbat=3.9V(实测),Vsleep=80mV 怎么样才能进入HIGH-Z模式。

  • 您好,下面条件不满足就进入HIZ mode

    The REGN is enabled when all the conditions are valid.

    1. VBUS above VVBUS_UVLOZ

    2. VBUS above VBAT + VSLEEPZ in buck mode or VBUS below VBAT + VSLEEP in boost mode

    3. After typical 220-ms delay (100 ms minimum) is complete

    If one of the above conditions is not valid, the device is in high impedance mode (HIZ) with REGN LDO off.