TPS51396AEVM: TPS51396AEVM负压问题求助

HI

    芯片的各个信号，例如EN,MODE,SS等都是以芯片GND为基础的，所以他们的"GDN"实际是负压，而不是0V.

您好，

   我这边尝试了将EN与MODE的低电位接负压，测量输出依然是2.9V,同时 我这边尝试在Cbst(C2)位置串接一个小电阻，电压升到3.0V，但是依然与3.3差了30mV.

Hi

    是相差了300mV吗？  而不是30mV.

    你是要-3V输出，还是-3.3V输出？

    EN与MODE的低电位接负压，还需要确认分压电阻是否合适？

    空载都输出偏低，带载就严重偏低，需要首先确认，功率电感饱和电流足够并且没有质量问题。 layout功率回路尽量小。

    如果都没有问题再确认芯片。（是样板这样，还是批量生产中出现少量这样的异常？）

您好，

       不好意思，我反馈的信息出错了。设定-3.3V,空载-3.3V ,带载 2A为2.9V(将EN和MODE接地后测量)。功率电感理论计算值是3.9uH，实际焊接是4.7uH，测试电流2A，电感额定是5A （我们另外一路+3.3V，测试到了4A，都未出现偏低问题）.我理解的是芯片EN分压值如果不够，芯片应该启动不了，芯片可以启动是否可认为分压值没问题？当然我这边看下使能电压是否在范围。另外MODE的分压除了影响频率为什么还会影响到输出电压值？

对了，是所有芯片都是这种现象

您好，按照您的意见  ，EN和 MODE接负压后，电阻重新调整。EN或MODE的值， 计算时Rup和Rdom的压降按8.8V算 ，然后设定EN下拉电阻到地的电压值为1.3V,MODE的下拉电阻到地的电压值为0.08V,但发现实测值相差很远。后面尝试根据实测的电压值来调整电压，希望EN接近目标1.3V，但是无论如何调整电阻，EN的电压值只能是接近1.2，或直接到1.9V，感觉是避开了1.2V和1.4V一样。所以我觉得EN 是否不应该接负压。盼望回复，谢谢！

输出是3.3 V, 为90.6K和20K  上传的图是3V。实际设定是3.3V

Hi

    EN与MODE的低电位接负压， EN电压是针对负压的，EN对负压最大耐压6V.

    也就是空载都输出正常，带载就严重偏低。需要首先确认功率电感饱和电流足够大并且没有质量问题。 然后就是layout功率回路尽量小。

HI

      高点为接VIN(5.5), EN和MODE低点位接接VEE(-3.3),则EN和MODE的电压应该如何设置？  另外你提到EN的耐压值是6V，但手册提到逻辑门电压 高电平时1.2到1.4V，我的理解是是EN的电压必须在1.2到1.4V才能正常工作。

好的，十分感谢，目前问题已经解决。