Original question:
大家好，BQ76952在做同口BMS时，遇到问题许下：
1、BQ76952做高边驱动同口方案设计BMS时，当发生保护后，在充电MOS和放电MOS均断开的情况下，若此时进行充电操作，电压会顺着放电口进入BQ76952的DSG管脚，实测当DSG管脚电压高于68V时，此时管脚VBAT开始出现被抬高的现象，CP1管脚也会同步升高，由于保护时，VBAT内部是和充电管脚CHG相通的，导致此时CHG同样被抬高，当继续增加DSG管脚电压如75V(相对于B-)时，VBAT同步CHG都会增加达到3V(相对于B+)，CP1和VBAT之间电压此时会达到20V左右，此时由于CHG达到3V之高(相对于B+)，充电MOS会处于线性区，在充电器接入有电流时，造成极大概率损坏的可能性！
2、为进一步弄清楚该问题发生的原因，后单独对BQ76952的DSG引脚施加电压，以查看CHG引脚的电压情况；具体为将一颗10K电阻串入DSG引脚上，对其施加电压，当外部施加电压达到69V时，VBAT及CHG同步的开始出现明显抖动电压，再增加DSG的施加电压，则VBAT及CHG脚电压同步抬高，同时VBAT与CP1之间电压可抬升达到20V之多，该测试基本可模拟前面已经描述的，当DSG电压抬升后导致VBAT同步抬升，进而导致CHG同步抬升使充电MOS进入线性区后损坏的问题！
图一：DSG施加一定电压(相对于B-施加)后，VBAT及CHG同步出现如此被抬升电压(相对于B+ 电压)，该电压可作用在充电MOS的GS端，有充电电流时导致充电MOS损坏
图二：DSG施加更大电压后，VBAT及CHG同步出现如此被抬升电压(相对于B+ 电压)，该电压可作用在充电MOS的GS端，有充电电流时导致充电MOS损坏
3、在TI论坛搜索时，发现有开发者遇到过及其相似甚至相同的问题，但该贴后续未在论坛给出对应解决措施或方法；
该贴具体网址为：[参考译文] BQ76952：CP1过压 - 电源管理（参考译文帖）(Read Only) - 电源管理（参考译文帖） - E2E
设计支持 (ti.com)
4、针对该问题，想弄清楚的是：
（1）当BMS发生保护后，充放电MOS关断的情况下，对充电口施加一定电压后，该电压进入DSG引脚后，是如何引起VBAT引脚电压变化 ，进而导致CHG引脚电压变化的？在这个过程中CP1电荷泵的作用机理是什么？
（2）同口情况下，有什么有效方法可以解决消除由DSG引脚电压导致的CHG引脚电压，以消除充电MOS损坏风险？
