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BQ27Z746EVM-047: Golden Learning问题描述:部分格点的Ra值不更新

Part Number: BQ27Z746EVM-047

第一个周期,在常温下更新R_a0表时,仅更新了Ra0Ra11的值,Ra12-Ra15的值为默认值按比例放缩获得,如图7所示

第二个周期,更换至低温下更新R_a0x表,仅更新了Ra0的值,后续值均未更新,为比例放缩获得。如图11所示。

图7

 图11

  • 附件为低温工况日志

    lowTemp.log

  • 您好,下面条件会导致RA table 不更新

    • During the optimization cycle, the Ra update is disabled until QMax is updated (that is, Ra will not be updated if Update Status = 4).

    • The Ra update is disabled if the charge accumulation error > 5% of Design Capacity mAh.

    • During a discharge, a negative resistance is measured.

    详细请参考TRM 7.7.4 Ra Table Update Conditions

  • 看了一下7.7.4章节里面说的三个原因。

    1. update status如果不对的话,那应该是一个Ra都不会更新的,但当时有更新了一个Ra值,所以应该不是。

    2. charge accumulation error手册里我没有找到具体是怎么计算的,有没有更详细的介绍?

    3. 最后一个原因说可能放电过程中更新的阻值为负值,所以没有更新。有没有办法能验证更新出了负值电阻值?

  • 您好,Ra table 不更新的可能原因分析

    (1).Qmax 未更新,请按 4.1 检查 Qmax 未更新的可能原因。

    (2).化学 ID 不匹配,[RDIS]=1,请先获取正确的 CHEM ID。

    (3).放电电流太小(比如<0.1C),请用 0.2C。

  • 我觉得您说的三个可能的原因都不成立。

    (1)Qmax已经更新过了,如果未更新,不会刚开始有几个Ra 点出现了更新。

    (2)CHEM ID与电芯是一致的,如下图

    (3)放电电流从前面上传的图和log中可以看到是-500mA,即0.2C。

    所以还有没有其他的可能原因?

    2. charge accumulation error手册里我没有找到具体是怎么计算的,有没有更详细的介绍?

    3. 最后一个原因说可能放电过程中更新的阻值为负值,所以没有更新。有没有办法能验证更新出了负值电阻值?

    上面这两个点能否提供更详细的介绍?

  • 您好,正在询问更了解这款芯片的TI工程师,稍后回复。

  • 您好,Please check the RDIS bit in ControlStatus(). The gauge will set this if conditions prevent it from learning cell resistance.