在我们的应用中,输入电压比较小,对dropout比较敏感。
采用数据手册第7页推荐的参数R(REF) = 8.45 kOhm, CONF_REFRANGE = 11b, DC=38,I(OUTx) = 45 mA测量Dropout,测得的Dropout为0.83V,超出0.4V~0.7V的范围,同样,在75mA的条件下测量得到dropout为1.04V,同样也大于1V。想问下具体的原因是?
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在我们的应用中,输入电压比较小,对dropout比较敏感。
采用数据手册第7页推荐的参数R(REF) = 8.45 kOhm, CONF_REFRANGE = 11b, DC=38,I(OUTx) = 45 mA测量Dropout,测得的Dropout为0.83V,超出0.4V~0.7V的范围,同样,在75mA的条件下测量得到dropout为1.04V,同样也大于1V。想问下具体的原因是?
Hi
严格按照datasheet的参数来测试, 例如: V(LDO_DROP) LDO maximum dropout voltage I(LDO) = 80 mA 0.5 ~0.9 V
V(LDO_DROP) LDO maximum dropout voltage I(LDO) = 80 mA
是的,严格按照数据手册第7页最后一个指标V(dropout)的要求,按照R(REF) = 8.45 kOhm, CONF_REFRANGE = 11b, DC=38,I(OUTx) = 45 mA配置了,数据手册中并没有写测量方法,想问下是怎么测量的dropout的?我的测量方法是否有问题?
Hi
我觉得应该和LDO测试Vdrop差不多,但是两类芯片又完全不同,只能借鉴。
就是按照datasheet里面参数表的测试条件,逐步降低输入电压,不同的是LDO降低输入电压看输出电压是否异常变低。但是TPS929120负载是LED, 不确认是看LED电压还是电流。