你好，
在调试BQ76952 出现如下问题， 请帮忙协助解答一下，谢谢！，
1、单体电压刷新慢，延迟好几秒；
2、MOS驱动能力弱；
3、单体硬件过压解除后，充电MOS不自动恢复；
4、单体硬件欠压后，放电MOS不自动关闭；
5、预放电MOS驱动无信号输出；
请参考电路：
上电后执行 BQ769x2_Init 函数初始化芯片
每500ms执行一次 BQ769x2_SampCurr 函数，在改函数内调用 MosCtrolTest 进行MOS驱动信号测试
测试序列
step1 关DMOS -> step2 开DMOS -> step3 关CMOS/DMOS -> step4 开CMOS/DMOS -> 回到step1重复测试序列
用示波器测量芯片 CHG / DSG 引脚信号，相对于B+，DSG信号一直为 -35V左右，CHG信号一直为0V。驱动信号均不受测试序列控制。MOS控制函数 BQ769x2_MosControl（用subcmd） 和 BQ769x2_MosControl_B（写FET_CONTROL寄存器），两种MOS控制方式效果一样，驱动信号不受控
另外一个现象：当CMOS驱动有输出时（实际测量驱动电压相对B+约10V），把R123去掉，当Q25工作，即CHGD_EN给高电平，CHG信号会被拉到0V（相对B+）。请帮忙确认芯片CHG的驱动能力。