BQ25723: 4串电池场景，在不插电池的情况下常温工作无问题，高温时会出现SYSOVP

Thanks.

Star,

      您好，麻烦帮忙回复一下Munir，谢谢。

Hi Munir,

      OK.We can try this state.But is this initial voltage 1S?We have to change the register setting to 4S?

Best Regards,

Yan

您好，已经回复请继续关注该帖。

Star,

      因为我们希望的是在不插电池的时候VSYS也能输出至少12.3V以上，所以如果CELL_BATPRESZ为0V通过修改05/04h这两个寄存器不能使VSYS的电压保持在12.3V以上，那这样是没法使用的。我们现在觉得很奇特的地方在于常温下CELL_BATPRESZ为75%，VSYS能够正常的输出电压，为什么高温下VSYS会出现SYSOVP的情况。

您好，请在 70℃ 下测试时，抓一下 VBAT、VSYS、SW1、SW2 节点的波形。

将CELL_BATPRESZ设置为0V在常温下测试VSYS为4.2V，设置0B/0C寄存器可以将VSYS修改为12.3V。在70度温度下即使将CELL_BATPRESZ设置为0V，不设置寄存器的情况下VSYS也会输出高于12.3V，而且VSYS的电压会随着时间的推移慢慢变大，我们测量的时候已经到达20.5V，后面没敢继续再测试。

您好，是否使用评估板做一个相同测试？

暂时没有，不知道你们在设计这款芯片的时候有没有考虑出现不插电池使用的这种场景？

1. Are you seeing SYSOVP triggered at 70℃ when VSYS gradually increases to 20.5V?

这个没有去读相应的寄存器，因为VSYS没有断电的情况。

2. Do you have any load attached to VSYS?

有负载，大概是60W负载。

3. Please obtain register map and scope captures of VBAT, VSYS, SW1, SW2 nodes from the customer at 70℃. 

As far as I know increasing temperature should not increase VSYS. Please confirm if the following information for your case is correct or not.

就是按照这个条件进行测试的，不过没有去看SYSOVP这个位的状态。

下面是将CELL_BATPRESZ设置为0V时读出的寄存器值：

0e e7 00 00 68 10 c4 09 00 3c 00 35 00 24 00 41 ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff 00 80 00 b8 00 41 00 bc 00 00 00 00 00 00 40 e0 00 33 b7 00 34 04 09 4a a0 41 00 20 48 00 04 00 04 00

能够申请一个评估板吗？

您好，是否方便提供 70℃ 下 VBAT、VSYS、SW1、SW2 的寄存器参数和波形。

评估板是否能申请请在TI Store上查看

www.ti.com.cn/.../BQ25723EVM