设计的电路模块稳压功能正常，能够正常带载，但使用示波器抓取MOS管驱动波形时，发现上管HO波形有回勾(使用接地环测试MOS管的GS波形)，如下图所示（图片为12V带载9A时测得，蓝色是下管LO波形，紫色上管HO波形），且幅度较大，想请教下造成该现象的原因是什么呢，有什么办法解决？
尝试将MOS管上官GS之间并接一个2.2nF的电容，使上升速率变缓慢，有效果，但是烧过一块板子，所以担心是否改变了死区时间从而烧毁MOS管
设计的电路模块稳压功能正常，能够正常带载，但使用示波器抓取MOS管驱动波形时，发现上管HO波形有回勾(使用接地环测试MOS管的GS波形)，如下图所示（图片为12V带载9A时测得，蓝色是下管LO波形，紫色上管HO波形），且幅度较大，想请教下造成该现象的原因是什么呢，有什么办法解决？
尝试将MOS管上官GS之间并接一个2.2nF的电容，使上升速率变缓慢，有效果，但是烧过一块板子，所以担心是否改变了死区时间从而烧毁MOS管
