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你好
我们在设计中需要给DDR3 SDRAM的Vtt寻找一个合适的电源芯片。我有看到TI有很多型号，LDO和DC/DC的电流供给能力差别很大。
比如如下的3个应用场景：
1.一个16位的DDR3 SDRAM内存颗粒的时候。
2.两个16位的DDR3 SDRAM内存颗粒的时候。
3.一个标准的DDR3 SDRAM笔记本内存条的时候。
请问这几种场景下，应该选多大电流的VTT电源芯片合适？
在VTT电源选型中还需要注意哪些地方？
谢谢！
第1种是一颗2Gb。
第2种是两颗2Gb。
第3种是一条2GB。
vtt端接电阻50欧姆，DDR时钟400MHz接口800MHz
这个要看内存条的参数手册， 你可以看看TPS51116 能带多大内存。
好的，请问如果用到内存颗粒的话具体要看哪些参数？
一般就是VDDQ的电压电流能力和VTT的电压电流能力，你也可以到我们官网power下面有一栏是专门给DDR供电的器件。
好的 谢谢！
