我们使用的是BQ76952芯片，采用正端保护，上图为充放电MOS及驱动电路，红色框内则是示波器探头的接入点。
绿色：放电电流 蓝色：放电MOS_GS 红色：放电MOS_DS (接负载)
绿色：放电电流 蓝色：放电MOS_GS 红色：放电MOS_DS (接负载)
放电过流烧MOS波形
描述下我们的现象，我们用两个示波器的差分探头，分别接放电MOS的GS极和DS极，当出现欠压温度异常关放电MOS的时候，
发现GS有个1.3V左右的电压，而当放电过流时，放电MOS的GS电压先拉到0，然后变成1.3V，之后最后又变成2.5V左右，
导致放电MOS微开状态，因为负载在拉电流，所以会导致放电MOS被电流击穿。
现在可以确定的是，确实是示波器探头将B+的电压引入到放电MOS的G极，但很明显，这个G极的电压与DSG管脚的内部电路也有关系，
所以能否告知下此管脚会出现的状态？
